Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/159767Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | Долидзе, Н. Д. | - |
| dc.contributor.author | Джибути, Зураб | - |
| dc.date.accessioned | 2016-06-06T12:14:15Z | - |
| dc.date.available | 2016-06-06T12:14:15Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/159767 | - |
| dc.description.tableofcontents | Содержание–– Используемые в диссертационной работе сокращения и обозначения–– Введение–– ГЛАВА I АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ–– 1.1.Ионная имплантация–– как метод легирования полупроводников–– 1.2.Рекристаллизация аморфизированных слоев Si и GaAs импульсным лазерным воздействием–– 1.3.Лазерный отжиг радиационных дефектов–– в Si и GaAs–– Глава II. МЕХАНИЗМЫ ИМПУЛЬСНОГО ФОТОННОГО ОТЖИГА–– 2.1. Тепловая модель лазерного отжига–– 2.2. Модель холодного плазменного отжига–– 2.3. Химические связи–– 2.4 Модель неравновесного фазового перехода ковалентный полупроводник-металл под воздействием лазерного излучения–– 2.5 Модель фазового перехода твердое состояние-жидкость в ковалентных полупроводниках–– Глава III. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА–– 3.1. Исследуемый материал–– Приготовление образцов–– 3.2. Методики измерений–– 3.3. Облучение высокоэнергетическими частицами–– Термический и фотонный отжиги–– 3.4. Установки импульсной фотонной обработки полупроводниковых материалов и структур (УИФО 1-5)–– 3.5. Метод оценки интенсивности излучения в зависимости от спектрального состава для УИФО–– 3.6. Оценка температур нагрева полупроводников при импульсной фотонной обработке–– 3.7. Оценка концентрации генерированных светом неравновесных носителей заряда в полупроводниках–– ГЛАВА IV. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ ФОТОННЫЙ ОТЖИГ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ (Si, GaAs, SiC, КНС)–– 4.1.Влияние лазерного воздействия на процесс рекристаллизации аморфизированного GaAs –– 4.2.Низкотемпературный лазерный отжиг имплантированного ионами Si –– 4.3. Лазерный отжиг радиационных дефектов в GaAs–– облученного электронами ––4.4.Исследование процессов импульсного фотонного (лампового) отжига дефектов–– 4.5. Влияние ИФО на внутренние механические напряжения в кристаллах–– 4.6. Плавление полупроводников при импульсном лазерном воздействии–– 4.7. Электронный механизм плавления полупроводников - модель низкотемпературного лазерного отжига–– 4.8. Обсуждение результатов эксперимента–– ГЛАВА V. ФОТО- И РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ–– 5.1 Метод импульсной фотонной обработки в технологии создания омических контактов–– p-n переходов и легированны хобластей в полупроводниках–– 5.2. Метод импульсной фотонной обработки в технологии создания полевого транзистора с барьером Шоттки на GaAs–– 5.3. Радиационно-фотонные и радиационно-термические процессы в технологиях полупроводниковой электроники–– Основные результаты и заключения–– Список работ опубликованных по теме диссертации–– Литература. | - |
| dc.format.extent | 233 გვ. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | თბილისი | en_US |
| dc.source | Механизмы импульсного фотонного отжига в полупроводниках с ковалентными и смешанными связами / З. Джибути : Дис... докт.физ.-мат.наук 01.04.07 / ТГУ - Тб., 2006 – 233 с. : рис., табл. - - Библиогр.: с. 215-23(საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა, საარქივო ფონდი) | en_US |
| dc.subject | ფიზიკა | en_US |
| dc.subject | наноэлектроники | en_US |
| dc.subject | лазеры | en_US |
| dc.title | Механизмы импульсного фотонного отжига в полупроводниках с ковалентными и смешанными связями | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| dc.rights.holder | საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა | en_US |
| Appears in Collections: | ეროვნული ბიბლიოთეკის დისერტაციებისა და ავტორეფერატების ფონდი | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Disertacia.pdf | 4.72 MB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.