Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/172143
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorჯაბუა, ზაურ-
dc.contributor.authorტაბატაძე, ირაკლი-
dc.date.accessioned2016-09-07T12:41:01Z-
dc.date.available2016-09-07T12:41:01Z-
dc.date.issued2014-07-
dc.identifier.urihttp://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/172143-
dc.description.tableofcontentsშესავალი -- თავი I -- ლიტერატურის მიმოხილვა -- ზოგიერთი იმე−გოგირდი, იმე−ანთიმონი და იმე−ტელური მდგომარეობის ფაზური დიაგრამები -- 1.2. იშვიათმიწა ელემენტების სულფიდებისა და ანთიმონიდების მოცულობითი კრისტალების და ფირების მიღება -- 1.3. გადოლინიუმის სულფიდის, დისპროზიუმის ანთიმონიდის და ერბიუმის ტელურიდის კრისტალური სტრუქტურა -- 1.4. იშვიათმიწა ელემენტების ჰალკოგენიდებისა და ანთიმონიდების ქიმიური თვისებები -- 1.5. იშვიათმიწა ელემენტების ანთიმონოდებისა და სულფიდების ელექტრო ფიზიკური და ოპტიკური თვისებები -- 1.6. I თავის დასკვნები. სადისერტაციო ნაშრომის; მიზანი და ამოცანები -- თავი II -- ფირების მიღების ტექნოლოგიური, მაკონტროლებელი და ფიზიკური თვისებების გასაზომი დანადგარები და გაზომვების მეთოდიკა -- 2.1. ვაკუუმურ-თერმული აორთქლების მეთოდით ფირების მოსამზადებელი მოწყობილობები -- 2.2. ფუძეშრის გაწმენდა -- 2.3. ფირების სისქის კონტროლი -- 2.4. ფირების რენტგენოდიფრაქციული და ელექტრონოგრაფიული კვლევის მეთოდები -- 2.5 .ქიმიური შემადგენლობის კვლევის მეთოდიკა -- 2.6 .ელექტროფიზიკური კვლევის მეთოდები -- 2.7. თერმო ელექტრო მამოძრავებელი ძალის გაზომვა -- 2.8 .ოპტიკური და ფოტოელექტრული თვისებების კვლევის მეთოდიკა; 2.9 .ოპტიკური მუდმივები და მათი კავშირი ელექტრონულ გადასვლებთან -- თავი III -- იშვიათმიწა ელემენტების ანთიმონიდებისა და სულფიდების თხელი ფირების მიღების ტექნოლოგია, კრისტალური სტრუქტურა, ფაზური და ქიმიური ანალიზი -- 3.1. ვაკუუმურ-თერმული აორთქლებით თხელი ფირების მიღების მეთოდები და ტექნოლოგიური თავისებურებანი -- 3.2 გადოლინიუმის ერთნახევრიანი სულფიდის ფირების მიღება -- 3.3. გადოლინიუმის ერთნახევრიანი სულფიდის ფირების მალეგირებელი მინარევის შერჩევა და ლეგირების მეთოდები -- 3.4 დისპროზიუმის მონოანთიმონიდის თხელი ფირების მიღება -- 3.5 ერბიუმის მონოტელურიდის თხელი ფირების მიღება -- 3.6 ელექტრო − საკონტაქტო მოედნების დაფენის ტექნოლიგია -- 3.7. მესამე თავის დასკვნები -- თავი IV-
dc.format.extent167 გვ.en_US
dc.language.isokaen_US
dc.publisherთბილისიen_US
dc.sourceზოგიერთი იშვიათმიწა ელემენტის პნიქტიდებისა და სულფიდების ფირების მომზადების ტექნოლოგიის დამუშავება, ოპტიკური და ელექტროფიზიკური თვისებების შესწავლა/ი. ტაბატაძე; დის...დოქტ. აკად. ხარ./სამეცნ.ხელმძღვ.:ზაურ ჯაბუა; საქ. ტექნიკური უნ–ტი; თბ., 2014-167 გვ.- - ბიბლიოგრ.: გვ.164-167. UDC: 546.65 (საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა, საარქივო ფონდი, D 18.015)en_US
dc.subjectიშვიათმიწა ელემენტებიen_US
dc.subjectტექნიკა და მომიჯნავე დარგებიen_US
dc.titleზოგიერთი იშვიათმიწა ელემენტის პნიქტიდებისა და სულფიდების ფირების მომზადების ტექნოლოგიის დამუშავება, ოპტიკური და ელექტროფიზიკური თვისებების შესწავლაen_US
dc.typeThesisen_US
dc.rights.holderსაქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკაen_US
Appears in Collections:ეროვნული ბიბლიოთეკის დისერტაციებისა და ავტორეფერატების ფონდი

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Disertacia.pdf2.93 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Avtoreferati.pdf290.61 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.