Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/172692
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorდარსაველიძე, გიორგი-
dc.contributor.authorსიჭინავა, ავთანდილ-
dc.date.accessioned2016-09-13T06:38:55Z-
dc.date.available2016-09-13T06:38:55Z-
dc.date.issued2015-06-
dc.identifier.urihttp://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/172692-
dc.description.tableofcontentsნახაზების ნუსხა -- ცხრილების ნუსხა -- შესავალი -- 1.ლიტერატურული მიმოხილვა -- 1.1. დისლოკაციების დინამიკა SiGe შენადნობებში -- 1.2. გერმანიუმის გავლენა ჩოხრალსკის მეთოდით მიღებულ სილიციუმის ფუძეშრეების მექანიკურ თვისებებზე -- 1.3. მიკროსისალის თავისებურებანი გერმანიუმსა და სილიციუმში -- 1.4. Si-Ge შენადნობების p-n სტრუქტურების რადიაციული მედეგობა -- 2. შედეგები და მათი განსჯა -- 2.1. Si-Ge შენადნობების მიღება და კვლევის მეთოდები -- 2.1.1. Si-Ge შენადნობების მიღება -- 2.1.2. Si-Ge ფუძეშრეებზე p-n გადასასვლელების შექმნის მეთოდიკა -- 2.1.3. მეტალური კონტაქტების შექმნის თანმიმდევრობა -- 2.1.4 ნიმუშების ზედაპირების მომზადების მეთოდიკა -- 2.1.5. მიკროსტრუქტურის კვლევის მეთოდიკა -- 2.1.6. ელექტროფიზიკური მახასიათებლების გაზომვის მეთოდიკა -- 2.1.7. დინამიური მიკროსისალისა და ინდენტირების მოდულის განსაზღვრის მეთოდი -- 2.1.8. შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის გაზომვის მეთოდი -- 2.1.9.ინფრაწითელ დიაპაზონში ფოტომგრძნობიარობის სპექტრების გაზომვის მეთოდიკა -- 2.2. კვლევის შედეგები -- 2.2.1. მონოკრისტალური Si+2ატ%Ge შენადნობის მასიური კრისტალების ფიზიკურ-მექანიკური თვისებები -- 2.2.2. ბორით ლეგირების გავლენა Si+2ატ.%Ge მონოკრისტალური შენადნობის არადრეკად თვისებებზე -- 2.2.3. ზედაპირების დამუშავების გავლენა მონოკრისტალური Si-Ge შენადნობების მიკროსტრუქტურასა და ძვრის მოდულზე -- 2.2.4. მონოკრისტალური Si-Ge შენადნობების შინაგანი ხახუნისა და ძვრის დინამიური მოდულის ამპლიტუდური დამოკიდებულება -- 2.2.5. გერმანიუმის გავლენა Si-Ge მონოკრისტალური ფუძეშრეების არადრეკად თვისებებზე -- 2.2.6. გერმანიუმის გავლენა მონოკრისტალური სილიციუმის მიკროსისალეზე -- 2.2.7. Si-Ge ფუძეშრეების არგონის იონებით დასხივების პარამეტრების გათვლები TRIM-2012 პროგრამით -- 2.2.8. არგონის იონებით დასხივებისა და სწრაფი თერმული მოწვის გავლენა Si-Ge ფუძეშრეების მიკროსისალესა და დრეკადობის მოდულზე -- 2.2.9. მაღალენერგეტიკული ელექტრონებით დასხივების გავლენა Si-Ge ფუძეშრეებისა და p-n გადასასვლელების მიკროსისალესა და დრეკადობის მოდულზე -- 2.2.10. Si-Ge ფუძეშრეებზე შექმნილი p-n გადასასვლელების ფოტომგრძნობიარობის სპექტრები -- დასკვნა -- გამოყენებული ლიტერატურის ნუსხა.-
dc.format.extent149 გვ.en_US
dc.language.isokaen_US
dc.publisherთბილისიen_US
dc.sourceრადიაციული ზემოქმედების გავლენა მონოკრისტალური Si-Ge შენადნობების სტრუქტურასა და ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზე/ა.სიჭინავა; დის...დოქტ. აკად. ხარ. სამეცნ.ხელმძღვ.: გიორგი დარსაველიძე; საქ. ტექნიკური უნ–ტი; თბ., 2015-149 გვ. -- ბიბლიოგრ.: 146-149. UDC: 669.78+669.046.512en_US
dc.subjectსოლიციუმი მონოკრისტალურიen_US
dc.subjectგერმანიუმი მონოკრისტალური, ლეგირებაen_US
dc.subjectქიმიური მრეწველობაen_US
dc.titleრადიაციული ზემოქმედების გავლენა მონოკრისტალური Si-Ge შენადნობების სტრუქტურასა და ფიზიკურ-მექანიკურ თვისებებზეen_US
dc.typeThesisen_US
dc.rights.holderსაქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკაen_US
Appears in Collections:ეროვნული ბიბლიოთეკის დისერტაციებისა და ავტორეფერატების ფონდი

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Disertacia.pdf2.05 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Avtoreferati.pdf480.82 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.