ბორითა და გერმანიუმით ლეგირებული სილიციუმის ფუძეშრეების სტრუქტურული და ელექტროფიზიკური თვისებები

ტაბატაძე, იაშა

Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/172694

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	დარსაველიძე, გიორგი	-
dc.contributor.author	ტაბატაძე, იაშა	-
dc.date.accessioned	2016-09-13T06:45:28Z	-
dc.date.available	2016-09-13T06:45:28Z	-
dc.date.issued	2015-06	-
dc.identifier.uri	http://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/172694	-
dc.description.tableofcontents	ნახაზების ნუსხა -- ცხრილების ნუსხა -- შესავალი -- 1.ლიტერატურული მიმოხილვა -- 1.1 მსხვილმარცვლოვანი სილიციუმის მიკროსტრუქტურის თავისებურებანი -- 1.2 მსხვილმარცვლოვანი სილიციუმის მარცვლების საზღვრების მდგომარეობა -- 1.3 Si-Ge შენადნობების ელექტრული თვისებები -- 1.4 დენის მატარებლების ძვრადობა Si-Ge შენადნობებში -- 1.5 გერმანიუმის გავლენა ბორ-ჟანგბადის კომპლექსებზე p-ტიპის სილიციუმში -- 1.6 ძლიერად ლეგირებული Si-Ge კრისტალების რეალური სტრუქტურის თავისებურებანი -- 1.7 გერმანიუმის გავლენა ჟანგბადის პრეციპიტაციაზე სილიციუმში -- 1.8 გერმანიუმის გავლენა ბორ-ჟანგბადის დეფექტების გენერაციასა და დისოციაციაზე -- 1.9Si-Ge შენადნობების ფუძეშრეებად გამოყენების პერსპექტივები -- 1.10 ტემპერატურის გავლენა სილიციუმის სტრუქტურულ თვისებებზე -- 1.11 ფაზური გადასვლები ელემენტარულ ნახევარგამტარებში -- 2. შედეგები და განსჯა -- 2.1. Si-Ge შენადნობების მიღება და კვლევის მეთოდები -- 2.1.1. Si-Geშენადნობების ფუძეშრეების შექმნა -- 2.1.2. Si-Ge ფუძეშრეებზე p-n გადასასვლელების შექმნა -- 2.1.3. მეტალური კონტაქტების შექმნა -- 2.1.4. მიკროსტრუქტურის კვლევის მეთოდიკა -- 2.1.5. მასიური ნიმუშების ელექტროწინააღმდეგობის გაზომვის მეთოდიკა -- 2.1.6. მასიური ნიმუშების დენის მატარებლების კონცენტრაციისა და ძვრადობის განსაზღვრა ჰოლის ეფექტის გაზომვით -- 2.1.7 თხელი ფენების ელექტროფიზიკური მახასიათებლების განსაზღვრა ჰოლის ეფექტის გაზომვის ვან დერ პაუს მეთოდით -- 2.1.8. თხელი ფენების სისქის განსაზღვრა -- 2.1.9. მზის ენერგიის გარდამქმნელების ვოლტ-ამპერული მახასიათებლების განსაზღვრა -- 2.1.10. შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის გაზომვის მეთოდი -- 2.1.11. თერმული გაფართოების კვლევის დილატომეტრული მეთოდი -- 2.2. კვლევის შედეგები -- 2.2.1 Si1-xGex (x≤0,02) შენადნობების მასიური კრისტალების კვლევის მეტალოგრაფიული მეთოდი -- 2.2.2. მექანიკური დამუშავებისა და გერმანიუმის გავლენა Si-Ge შენადნობების ელექტრულ მახასიათებლებზე -- 2.2.3 მაღალტემპერატურული თერმული დამუშავების გავლენა p-ტიპის Si1-xGex (x0,02) მასიური კრისტალების ელექტროგამტარობის ტემპერატურულ დამოკიდებულებაზე -- 2.2.4 p-ტიპის Si1-xGex(x≤0,02) მასიური კრისტალების თერმული გაფართოება 20-800°C ტემპერატურულ ინტერვალში -- 2.2.5. Si-Ge შენადნობების შინაგანი ხახუნისა და ძვრის მოდულის დაბალტემპერატურული სპექტრები -- 2.2.6. პოლიკრისტალური Si+2ატ%Ge:Er –ის მიკროსტრუქტურა და ელექტროფიზიკური თვისებები -- 2.2.7. არგონის იონებით დასხივების გავლენა Si-Ge ფუძეშრეების ელექტროფიზიკურ მახასიათებლებზე -- 2.2.8. Si1-xGex (x≤0,02) მასიური კრისტალების ფუძეშრეებზე p-n გადასასვლელების შექმნა და ვოლტ-ამპერული მახასიათებლების კვლევა -- დასკვნა -- გამოყენებული ლიტერატურის ნუსხა.	-
dc.format.extent	139 გვ.	en_US
dc.language.iso	ka	en_US
dc.publisher	თბილისი	en_US
dc.source	ბორითა და გერმანიუმით ლეგირებული სილიციუმის ფუძეშრეების სტრუქტურული და ელექტროფიზიკური თვისებები/ ი. ტაბატაძე; დის...დოქტ. აკად. ხარ. სამეცნ.ხელმძღვ.: გიორგი დარსაველიძე; საქ. ტექნიკური უნ–ტი; თბ., 2015-139 გვ. -- ბიბლიოგრ.: 135-139. UDC: 669.78+669.046.512	en_US
dc.subject	ლეგირებული სილიციუმი	en_US
dc.subject	ბორი	en_US
dc.subject	გერმანიუმი	en_US
dc.subject	ქიმიური მრეწველობა	en_US
dc.title	ბორითა და გერმანიუმით ლეგირებული სილიციუმის ფუძეშრეების სტრუქტურული და ელექტროფიზიკური თვისებები	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.rights.holder	საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა	en_US
Appears in Collections:	ეროვნული ბიბლიოთეკის დისერტაციებისა და ავტორეფერატების ფონდი

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Disertacia.pdf		2.09 MB	Adobe PDF	View/Open
Avtoreferati.pdf		437.89 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record

National Parliamentary Library of Georgia